boost基本拓扑：
Boost升压电路如图所示，由电感L、开关管Q（S）、二极管D、电容C和负载R组成。在理想条件下（即：忽略开关管的导通压降Vsw和二极管的导通压降Vd）分析开关管的导通和关断。
Ton 阶段，开关管导通，电路可等效为图2，电感上感应出与输入电压Vin极性相反的电压，其大小等于Vin。此时电感电流线性增加，并以磁能形式在滤波电感中储存能量。二极管D因为承受反向电压而截至，其承受的反向电压大小为Vo；此时电容储能释放（放电），（二极管的截止同时也防止电容对地放电）向负载R供电。
Toff 阶段，开关管关断，电路可等效为图3，这时储存在电感中的电流方向不能突变，电感L两端产生了与原来极性相反的自感电动势，即实现输入电压和电感电压串联。输入电压和电感电压的叠加迫使二极管D导通，输入电压和电感中储存的能量以电能的形式通过续流二极管D向电容C和负载R释放。
占空比计算：
由伏秒平衡知，稳态时，∆Ion=∆Ioff，即|∆ iL(+)| =|∆ iL(-)|。假设开关管的导通压降为Vsw，二极管的导通压降为Vd。
当开关管导通时，导通时间为Ton=D∙Ts，导通期间，电压Von=电感电压VL=Vin-Vsw；（1）
忽略开关管压降Vsw时Von=VL=Vin（2）
当开关管关断时，关断时间为Toff=(1-D)∙Ts，关断期间，电压Voff=电感电压VL=Vin-Vd-Vo（3）
忽略二极管导通压降Vd时,Voff=VL=Vin-Vo（4） （此时,Voff<0，比较的时候用的是绝对值）
由式∆ iL(+) =|∆ iL(-)|知，Boost电路输入电压和输出电压和占空比关系为
（Vin-Vsw） ∙D∙Ts+ (Vin- Vd-Vo)∙(1-D)∙Ts=0
解得D= （Vo+Vd-Vin）/（Vo+Vd-Vsw） (5)
如果忽略开关管导通压降Vsw和二极管导通压降Vd时，由式（1）得：
Vin ∙D∙Ts+(Vin- Vo)∙(1-D)∙Ts(6)
解得占空比D= （Vo-Vin）/Vo (7)同时验证升压原理。
电感计算：
Vo/Vin=1/（1-D），根据功率守恒，计算得到IL=Io/（1-D）。
随着负载电阻越大，输出电流就越小，IL不断减小，直到ILmin = 0，即为临界状态（BCM)，此时IL恰为电感脉动电流∆iL的1/2，由此便可推得临界电感值。
临界导通时，IL=∆iL（+）=Vin∙DT/2L；
又因为IL=Io/(1-D);
所以Io=Vin∙D(1-D)/2Lf;
又因为Vo/Vin=1/(1-D)
所以Io=Vo∙D/2Lf
所以L=Vo∙D/2Iof
开关管：
漏源极击穿电压VDS决定了器件的最低额定电压，设开关管导通时，电阻为零，压降为零，则关断时的开关管承受的最大电压为Vo。所以，功率开关管上的电压稳定时最大值为输出直流电压Vo（理想情况下），在实际选择功率开关管的时候还需要考虑至少 20%的电压裕量。如果开关管两端有尖峰，还需要根据实际情况进行调整。eg：Vo=100V，所以选取的MOS管的漏源极电压至少为200V。
在CCM模式下，Mos管电流瞬时值表达式为：
Mos管电流平均值ISrms=
=
=
Mos管的额定工作电流至少选择IS的2倍以上。
电容容值：
考虑电压纹波∆Vo，所以输出电容：
Co=IO∙D/（∆Vo∙f）；
二极管：
二极管电压
在Ton阶段，二极管承受最大反向电压，其值为Vo。二极管耐压至少选择最大反向电压的1.2倍，如果二极管两端有尖峰，需要根据实际情况进行调整。eg：Vo=100V，选择二极管耐压为200V。
二极管电流
在CCM模式下，二极管电流瞬时值表达式为：
文章来源：https://www.toymoban.com/news/detail-400210.html
所以，二极管电流平均值IDrms=
=
=
,二极管的额定工作电流至少选择IDrms的2倍以上。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-400210.html
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