Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss

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      Cgd在BJT(双极性晶体管)中也称为米勒电容(Cbc)

      栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率,但是下作频率比较高的时候,结电容的存在会消耗可观的驱动功率,频率越高,消耗的功率越大。

      在实践中,为了分析问题的方便,一般并不直接用结电容参数进行分析,而是重新定义了三个变量,统称为分布电容,具体如下。

      输入电容(lnput  Capacitance):Ciss=Cgd十Cgs

      输出电容(Output Capacitance):Cdss=Cgd+Cds

      逆导电容( Reverse Transfer  Capacitance):Crss=Cgd

     之所以引入分布电容的概念,是因为结电容是由晶体管的材料和结构决定的,不能全面反映对晶体管电路的实际影响。分布电容则主要反映结电容对下作电路的影响。

     无论是CiSS、Coss、Crss中的哪一个,我们都希望他们尽量小一些。

     Ciss会增加驱动功率,高频应用时,栅极驱动信号需要对Ciss充电和放电,因而会影响开关速度,降低驱动电路的输出阻抗有利于提高输出电流,提高对Ciss的充放电速度,有利于提高开关速度。

     Ciss会导致在高频应用时不能被真正关断,白白消耗功率,降低PD值;Crss引起正反馈,即输;H信号会从漏极倒灌回到栅极,引起白激振荡。

  Ciss、Coss、Crss的大小与源-漏极电压VDSS有关,因此有些公开的资料也将它们称为动态数(Dynamic Characteristics),不过它们几乎不受温度的影响,这给我们的电路分析带来了方便。

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