cadence——MOS晶体管I-V特性曲线仿真

1年前作者：skycmq分类：Toy博客阅读(13)违法举报

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了cadence——MOS晶体管I-V特性曲线仿真。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方，请大家不吝赐教，您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

新建原理图，将MOS管的栅极电压设为变量Vg，漏极电压设为变量Vd
打开ADEL，点击Variables——Copy From Cellview添加变量；并选择dc仿真，对Vd进行扫描
以Vg作为参变量进行仿真，点击Tools——Parametric Analysis进行设置
选择漏极电流作为输出，进行仿真即可得到I-V特性曲线
仿真绘制MOS管的输入特性曲线
将Vd值设为1.2V，在dc仿真设置里，把变量改为Vg

点击运行按钮即可得到输入特性曲线，即输出电流Id随输入电压Vg的变化曲线
观察MOS晶体管参数
点击Rsults——print——DC Operating Points

在弹出的原理图中点击MOS管，即可看到MOS管的参数
文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-414631.html

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