芯片FT测试主要流程

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了芯片FT测试主要流程。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方,请大家不吝赐教,您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

背景:最近刚了解mps公司的mp系列某芯片的测试流程,在此做个简单记录。

1.HW check
芯片太小,一般是把芯片放在socket上,连接测试板,再连接测试机,进行芯片功能的测试。
我们首先需要保证这些硬件是好的,这一步便是确定硬件上元器件、各通路的好坏。

2.INIT
初始化,常是获取测试时间、坐标、连接的是哪些site等信息。

3.Contact
在其他功能测试前进行的测试,主要包括测试各引脚的接触电压和开尔文电阻。
在芯片内部,各引脚之间有二极管,接触电压测量的是二极管电压,确定二极管工作良好/无引脚间的短路。如open,则测量情况和HW check的电压一致。
测量的开尔文电阻是接触电阻,其中包括socket和芯片引脚接触的电阻、整条线路上的电阻。有时候kelvin电阻太大,可能是继电器问题。正常来说,继电器的2和3引脚、6和7引脚之间有电阻,一般为0.3Ω。

3.Switch_BV
BV表示breakdown voltage,该测试项容易损坏芯片,不常做。

4.Leakage
测量该测试项的时候EN是置为0,即芯片未打开。
理论上,芯片未打开,输入管脚有无穷大的阻抗,几乎无电流流入或流出。但实际上,阻抗虽然大却很有限,有较小进出设备的电流。
要测某个引脚的漏电流,必须把其他引脚功能关掉,放置干扰。该测试项测量了上管、下管、各引脚的漏电流。

5.ActiveCurrent
把EN拉通后,各引脚的电压。

6.Functional
主要是测量boost regulator 和 vcc regulator的情况。

7.Logic
这部分是为了解EN、VIN在什么值的情况下,芯片进行工作/停止工作。可以用for循环和AWG缓慢升电压,得到准确值。还有对迟滞的计算和其值合不合理的判断。

8.Timing
用QTMU测量周期/频率。包括SW的频率、占空比、软启动时间等。
当周期太小,比如ns级别,就需要用示波器去观察波形了。

9.RdsonILimit
测量上下管的电阻,是mΩ量级的。因为太小了,如何保证精度、如何测量非常重要
在测量上管的极限电流,直接测量容易损坏上管。FB的电压和上管电流成线性关系,转换关系,直到FB的最大电压和线性关系,就可以求得上管的极限电流。
测量上管的极限电流也是为了更好地保护上管,防止超过其正常工作的条件。

10.PostLeakage
经过上一个测试项,芯片有一微小概率坏掉,所以再加入对芯片好坏的检测。因为若损坏,给typ电压时比较明显,故进行typ电压下的部分漏电流测试项。

11.PostContact
再次进行连接、接触好坏的检测。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-415631.html

到了这里,关于芯片FT测试主要流程的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容,请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章,希望大家以后多多支持TOY模板网!

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