在星球文章:【ESD专题】1.ESD基础及IEC61000-4-2标准中我们介绍了ESD是 Electro Static Discharge(静电放电)的缩写,是一种高能脉冲瞬态干扰,电荷从一个物体转移到另一个物体。当超过ESD单元钳位电压的过压出现在IC端子时,IC会不会损坏就取决于ESD元件被击穿期间通过它的能量的多少。
EOS(Electrical Over Stress)是电气过应力。ESD与EOS都是与电压过应力有关的概念,但是它们之间有明显的差异。主要差异如下:
ESD的电压很高(>500V),持续时间相对较短(<1us)。在【ESD专题】3.ESD防护器件(TVS管的原理和选型)中我们给出了IEC61000-4-2标准静电放电时的波形。
EOS的电压相对较低(<100V),持续时间更长一些(通常>1us)。
在标准中,ESD和EOS的标准也是分开的,如下图所示:
一般情况下IC内部的ESD保护单元都是按照一定的标准进行设计的,这使能芯片能够承受一定的ESD能量,这些标准是关于人体模型(HBM)的JESD22-A114和带电设备模型(CDM)的JESD22-C101E(其电压值为2KV )。但不同的芯片有时也会根据不同的标准进行设计。
如下图所示为STM32F103C8芯片手册(P60)对ESD的描述:
人体模型的 ESD 放电过程含有极为陡峭的上升沿和大约 300ns 的指数式下降过程,充电器件模型的 ESD 放电过程呈现为极短时间的振荡脉冲,振荡周期约为 4ns。比较而言,人体模型的 ESD 放电具有最高的能量等级。静电放电总是在极短的时间内完成的,在星球文章:【ESD专题】5.TVS管的选择的误区及钳位电压测试方法 中我们在最后也给出了 JEDEC 定义的人体模型 ESD 测试使用的静电枪内部的简化原理图,其中的 100pF 电容首先被充电到一定的水平,然后通过一只 1500Ω 电阻将电能释放到受试器件上。
由于多数受测元件的 ESD 保护单元的击穿电压都比测试电压低很多, ESD 测试的峰值电流基本上都是由测试电压和1500Ω 电阻决定的。在此波形样板中,测试电压为2kV,由此带来的峰值电流为2kV/1.5k = 1.3A左右。 RC 时间常数约为 150ns,因此波形下降得很快, 整个过程在 1µs 以内。
从下图就可以看出系统级ESD和器件级ESD(参考星球文章:【ESD专题】1.ESD基础及IEC61000-4-2标准)在电流波形上的不同:
当持续时间更长的 EOS 事件发生时,冲击 ESD 保护单元的能量就会更多,常常超出 ESD 保护单元的最大冲击能量承受能力,这样就会在 ESD 保护单元中积累太多的热量,最终导致严重的毁灭性结果。通常情况下,芯片中支撑ESD 保护单元的其他部分也会连带着一起受损。在星球文章:【电子通识】如何判断IC管脚是否焊接正常或已经损坏 我们给出了供应商分析IC引脚是否损坏的方法。其中下图是IC开盖后裸片,发现输入管脚焊盘区域有开路。
在供应商分析报告中,就提到了典型的EOS失效。并且后面我们证实确实是EOS导致的失效问题。
总结:ESD和EOS虽然都是电压过应力,但它们在时间和电压上有存在着明显的区别。因此不能将ESD和EOS混为一谈。
李光熠文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-444746.html
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