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所在专栏 《元带你学：eMMC协议》
前言
全文 6000 字，收录 70 多个 eMMC 术语， 并简明扼要说明了含义和常见用法。
主要是担心不同术语分散在不同文章里， 找起来不方便， 所以统一在这里对 eMMC 术语做个汇总，文中列出了eMMC 术语，遇到的时候来查一下。有些重要的术语， 有专文介绍， 大家可以看专栏中对应文章， 在标题中就可以看出讲的哪个专题。
为便于查找，术语按首字母顺序进行排序。
术语和定义
Background Operations: 后台操作，在空闲的时候设备内部操作
Bus: 总线， 总线有8 跟数据线
Bus Width: 总线位宽， 有 1bit, 4 bit, or 8 bit，通常用 8 bit。
Block: A number of bytes, basic data transfer unit (若干个字节，基本的数据传输单元)
Boot partition: 引导分区，通常放 Android uboot 等
Boot Operation: Boot 操作， 通过很简单方式即可读出 Boot 分区数据
Cache: 设备内部缓存RAM，一般暂存 host 发来的数据
Cache ON: 允许将host 发来的数据暂时缓存到Cache, 一旦放到Cache 上，即告诉 Host 数据已经写入设备完成，这样速度快。 但如果突然断电， 可能会丢失数据。消费电子，通常数据都可以这样写入， 除非特别关键的数据。
Cache OFF: 不允许将host 发来的数据暂时缓存到Cache， 要把数据写到非易失性的闪存才能告诉 host, 数据已写入设备， 这样速度会比较慢。
CID: Device IDentification register (设备识别寄存器)
CLK: Clock signal (时钟信号)
CMD: Command line or e•MMC bus command (if extended CMDXX) (命令行或eMMC总线命令)
CMDQ: 命令队列， 从eMMC 5.1 开始支持命令队列， host 可同时下多个命令，无需等前面命令执行完再操作。
CRC: Cyclic Redundancy Check (循环冗余码校验)
CSD: Device Specific Data register (设备特定数据寄存器)
Discard: 擦除数据的一种， Discard 与 Trim 类似， 但 Discard 的范围内的数据设备可以全部擦除， 也可以部分擦除，也可以不擦除， 这由设备决定。所以host 如果再读Discard 过的数据， 可能读到1， 也可能读到 0. 而 Trim 后的地址范围内数据一定全变成 0
Data Strobe: Return Clock signal used in HS400 mode (在HS400模式下使用的返回时钟信号)
DAT: Data line (数据传输线)
DISCARD: This command allows the host to identify regions that aren’t needed. It does not require action from the device. This is a performance command.(此命令允许主机标记不需要的区域。它不需要来自设备的操作。这是一个性能命令。)
DSR: Driver Stage Register (驱动程序阶段寄存器)
DDR: Dual Data Rate，双边沿触发模式
Device Status: 设备状态，包括设备当前 state, 有咩有发生 error
e•MMC: embedded MultiMediaCard (The Cache feature is optional and only supports a single VDDipin). 是“嵌入式多媒体控制器”的缩写，是指由闪存和集成在同一硅片上的闪存控制器组成的封装。eMMC 至少包含–MMC（多媒体卡）接口，闪存和闪存控制器。
ERASE: Block erase operation which does not require actual physical NAND erase operation （不需要实际的物理NAND擦除操作的块擦除操作）
Flash: A type of multiple time programmable nonvolatile memory (闪存，一种多次可编程非易失性存储器)
FFU: Field Firmware Update, 现场固件升级。通过这种机制用户可以通过Host给emmc下载新的固件
Force Program: 强制要把数据写到闪存， 而不是放在 Cache 上， 才算写入完成。即使 Cache ON, 也要把数据写到闪存。这功能和 Reliable Write 很像。
High-Speed: 在26Mhz 单速率总线下，高达 52MB/s，双边沿抓取数据。
HS200: High Speed interface timing mode of up to 200MB/s @200MHz Single Date Rate Bus, 1.8V or 1.2V IOs （高速接口timing模式，在200MHz单速率总线下，高达200MB/s，1.8V或1.2V IOs），单边沿抓取数据。
HS400: High Speed DDR interface timing mode of up to 400MB/s @200MHz Dual Date Rate Bus, 1.8V or 1.2V IOs （高速DDR接口定时模式高达400MB/s @200MHz双倍速率Bus，1.8V或1.2V IOs， 和HS），双边沿抓取数据。
Logical Block: 逻辑块, 一个块是 512 B
Logical Address: 逻辑地址，一个Logical Address 指向一个 逻辑块
Mapped Host Address Space: (可以通过主机软件读取命令访问eMMC设备的区域。)
Private Vendor Specific Address Space: (来自主机软件的读取命令无法访问的eMMC设备的区域。)
Unmapped Host Address Space: (来自主机软件的读取命令无法访问的eMMC设备的区域。)
e2•MMC: An e•MMC device that supports the e•MMC Cache feature and 3 VDDi pins.(一个支持eMMC缓存特性和3个VDDi引脚的eMMC设备)
Group: A number of write blocks, composite erase and write protect unit （有多个写块、复合擦除和写保护单元）
ISI: InterSymbol Interference (referred to certain Noise type) （符号间干扰（指特定噪声类型））
LOW, HIGH: Binary interface states with defined assignment to a voltage level （二进制接口状态与定义的分配到一个电压水平, ）
NSAC: Defines the worst case for the clock rate dependent factor of the data access time （定义了数据访问时间的时钟速率相关因子的最坏情况）
Non-Persistent: A part of the storage device that may lose contents after a power cycle （存储设备的一部分，在电源循环后可能会丢失内容）
MSB, LSB: Most Significant Bit or Least Significant Bit (最高有效位或者最低有效位）
Multiple block read with pre-defined block count: 预定义块数量的多块读操作， 由 CMD23 + CMD18 + Data 完成操作。 CMD23 带读的块数量， CMD18 带读的起始地址。
Multiple block Write with pre-defined block count: 预定义块数量的多块写操作， 由 CMD23 + CMD25 + Data 完成操作。 CMD23 带读的块数量， CMD25 带写的起始地址
OCR: Operation Conditions Register （操作条件寄存器）
Open-Drain: A logical interface operation mode. An external resistor or current source is used to pull the interface level to HIGH, the internal transistor pushes it to LOW （这是一种逻辑接口的操作模式。外部电阻器或电流源用于将接口电平拉到高，内部晶体管将其推到低）
Open-ended Multiple Block Read: 未预先定义读取数据长度的读操作， 是CMD18 开始读数据， CMD12 停止读数据
Open-ended Multiple Block Write: 未预先定义写入数据长度的写操作， 是 CMD25 开始写数据， CMD12 停止写数据。
Partition: 分区， 常见分区有User 区， 增强区， Boot 区
Pack Command: 打包命令， 将多个 CMD23 + CMD18 或 CMD23 + CMD25 命令打包在一个命令头中， 发送给设备端。减少host 与设备交互次数， 提高速度
Payload: Net data （净数据）
Push-pull: A logical interface operation mode, a complementary pair of transistors is used to push the interface level to HIGH or LOW （一种逻辑接口操作模式，使用互补对晶体管将接口电平推到高或低）
PSA: PRODUCTION STATA AWARENESS, 生产状态感知，一般用于在高温焊接前， 确认sample 里数据状况，如果写入数据量小于 PSA 允许的写入量(PRE_LOADING_DATA_SIZE)， 说明可以安全进行焊接操作。反之如果写入数据量大于 PSA 允许的写入量， 说明不能进行PSA, 要重新擦除数据，并控制新写的 image 数据大小。
PRE_LOADING_DATA_SIZE： 过PSA 允许的最大数据写入量
PON: Power Off Notification， 安全断电通知。一般主机知道用户要关机了， 会先给设备发送 PON 通知， 这样设备赶紧把 Cache 上数据写入到闪存， 把 RAM 上的日志写入到闪存中。
RCA: Relative Device Address register （相对设备地址寄存器）
Reset: CMD0 with argument of 0x00000000 or 0xF0F0F0F0, H/W reset (or CMD15) （CMD0，参数为0x00000000或0xF0F0F0F0的CMD0，H/W重置（或CMD15））
ROM: Read Only Memory （只读存贮器）
RPMB: Replay Protected Memory Block （重放受保护的内存块）
Reliable Write: 可靠写， 要把数据写到闪存， 而不是放在 Cache 上， 才算写入完成。即使 Cache ON, 也要把数据写到闪存。
Sanitize: 从物理介质上彻底擦除数据。 擦除的最干净，对于机密数据一般用这种方式擦得干干净净。
SSO: Simultaneous Switching Output (referred as certain type of Noise) （同时切换输出（称为特定类型的噪声））
Speed Mode: 速度模式， 常见有 HS200, HS400.
SDR：Single Data Rate, 单边沿触发
TAAC: Defines the time dependent factor of the data access time （定义数据访问时间的时间依赖因素）
TRIM: A command which removes data from a write group. When TRIM is executed the region shall read as ‘0’. This serves primarily as a data removal command. （从写入组中删除数据的命令。当执行TRIM时，该区域应读取为“0”。这主要用于一个数据删除命令。）
Three-state driver: A driver stage which has three output driver states: HIGH, LOW and high impedance (which means that the interface does not have any influence on the interface level) （具有三个输出驱动状态的驱动级：高、低和高阻抗（表示接口对接口级没有任何影响））
Tuning Process: A process commonly done by the host to find the optimal sampling point of a data input signals. The device may provide a tuning data block as specified for HS200 mode （通常由主机完成来找到数据输入信号的最佳采样点的过程。该设备可以提供为HS200模式指定的调谐数据块）
UTC: Universal time coordinated （协调通用时间）
Write Protection, Permanent: Write and erase prevention scheme, which once enabled, cannot be reversed. （写和删除预防方案，一旦启用，就不能逆转。）
Write Protection, Power-on: Write and erase prevention scheme, which once enabled, can only be reversed when a power failure event, that causes the device to reboot occurs, or the device is reset using the reset pin. （写入和擦除预防方案，一旦启动，只能在发生电源故障事件，导致设备重新启动，或使用复位pin管脚复位设备时才能逆转。）
Write protection, Temporary: Write and erase prevention scheme that can be enabled and disabled. （可以启用和禁用的写和擦除预防方案。）
参考
[1] https://blog.csdn.net/u014100559/article/details/128066597
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