硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

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硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

电源开关电路,经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制,是常用电路之一。

本文要讲解的电源开关电路,是用MOS管实现的,且带缓开启功能,非常经典。

、电路说明

电源开关电路,尤其是MOS管电源开关电路,经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制,如下框图所示。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

▲ 框图中“1个MOS管符号”代表“1个完整的MOS管电源开关电路”

在设计时,只要增加一个电容(C1),一个电阻(R2),就可以实现软开启(soft start)功能。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

▲ 电容C1、电阻R2实现软开启(soft start)功能

软开启,是指电源缓慢开启,以限制电源启动时的浪涌电流。

在没有做软开启时,电源电压的上升会比较陡峭。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

▲ 没有做软开启时,电源电压上升沿比较陡峭

加入软开启功能后,电源开关会慢慢打开,电源电压也就会慢慢上升,上升沿会比较平缓。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

▲ 加入软开启功能,电源电压上升沿比较平缓

浪涌电流可能会令电源系统突然不堪重负而掉电,导致系统不稳定。严重的可能会损坏电路上的元器件。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

▲ 浪涌电流时常导致系统不稳定,并可能损坏电路元器件

电源上电过快过急,负载瞬间加电,会突然索取非常大的电流。比如在电源电压是5V,负载是个大容量电容的时候,电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V,电容充电电流会非常大。如果同样的时间内电源电压只上升到2.5V,那么电流就小得多了。下面从数学上分析一下。

电量 = 电容容量 * 电容两端的电压,即:

Q = C * U

同时 电量 = 电流 * 时间,即:

Q = I * t

所以电流:

I = (CU) / t

从公式可以看出,当电容容量越大,电压越高,时间越短,电流就会越大,从而形成浪涌电流。

大电容只是形成浪涌电流的原因之一,其他负载也会引起浪涌电流。

、原理分析

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时,将三极管Q2的基极固定在低电平,不让其浮空。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

2、当电源 +5V_IN 刚上电时,要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻,即关闭三极管Q2,从而关闭MOS管Q1。因 +5V_IN 还不稳定,不能将电源打开向后级电路输出。此时等效电路图如下。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

此时电源 +5V_IN 刚上电,使MOS管G极与S极等电势,即Vgs = 0,令Q1关闭。

3、电源 +5V_IN 上电完成后,MOS管G极与S极两端均为5V,仍然Vgs = 0。

4、此时将 Control 设为高电平(假设高电平为3.3V),则:

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

  • ①三极管Q2的基极为0.7V,可算出基极电流Ibe为:

(3.3V - 0.7V) / 基极电阻R3 = 0.26mA

  • ②三级管Q2饱和导通,Vce ≈ 0。电容C1通过电阻R2充电,即C1与G极相连端的电压由5V缓慢下降到0V,导致Vgs电压逐渐增大。

  • ③MOS管Q1的Vgs缓慢增大,令其缓慢打开直至完全打开。最终Vgs = -5V。

  • ④利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开(导通),实现了软开启的功能。

MOS管打开时的电流流向如下图所示:

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

5、电源打开后,+5V_OUT 输出为5V电压。此时将 Control 设为低电平,三极管Q2关闭,电容C1与G极相连端通过电阻R2放电,电压逐渐上升到5V,起到软关闭的效果。软关闭一般不是我们想要的,过慢地关闭电源,可能出现系统不稳定等异常。过程如下图。

硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

过慢地开启和关闭电源都可能导致电路系统异常,这个MOS管电源开关电路及其参数已经过大批量使用验证,一般情况下可以直接照搬使用。

、电路参数设定说明

调整C1、R2的值,可以修改软启动的时间。值增大,则时间变长。反之亦然。

如果不想使用软开启功能,直接不上件电容C1即可。

使用原理图中所标型号的MOS管(WPM2341A-3/TR),通过的电流最好不要超过1.75A,留至少30%的余量,并且要注意散热。

因为下图中该MOS管的数据手册说它超过2.5A会损坏。

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