1.首先我们知道DS18B20是单总线协议,只有一根数据线。所以Data数据线即使发送端又是接收端,同时DS18B20内部接了弱上拉电阻(如图一所示),数据线默认为高电平。有了这些概念,我们就能进行下一步。
图一(截取DS18B20芯片手册)
2.初始化DS18B20
看图二可知,首先我们将总线从高拉低,保持480us左右,然后释放总线(没人拉低,默认高电平),此时总线上为高电平。然后等待15-60us,等待DS18B20模块将总线拉低。(如果拉低则说明DS18B20响应成功),DS18B20拉低60-240us后,释放总线。初始化完成。
图二
3.向DS18B20写入数据。
3.1 向DS18B20写0。
首先将总线由高拉低,低电平保持15us到60us,然后释放总线。写入0完成。
3.2 向DS18B20写1。
将总线由高拉低,低电平保持1-15us(看图三可知,低电平时间要低于15us),再释放总线。
图三
4.读取DS18B20寄存器中数据
4.1 读数据0
将总线由高拉低,保持1-15us。如果DS18B20中数据是0,则会将总线拉低。此时,总线上为低电平。我们要在60us以内读取数据(图四可知,60us以内DS18B20会释放总线)。否则可能会读到错误数据。
4.2 读数据1
将总线由高拉低,保持1-15us,如果数据是1,DS18B20会释放总线,总线上为高电平。然后在15us以后读取数据。
图四
5.DS18B20一些命令
5.1 0xCC→跳过ROM
5.2 其他命令
0x44→开始温度转换指令 ,0xBE→读取数据寄存器指令
图五
6.DS18B20数据寄存器
这里也比较关键,所以拎出来讲一下。
首先DS18B20的数据寄存器是16位,其中寄存器高字节的高5位的S表示符号位,其余3位才是表示数据。这里就浅讲一下,后面结合代码来解析一下。
图六
7.代码实例
声明:首先这里面的延时都是按照经验值,就是通过实践,得出比较准确的延时。
注:这里使用的是12M频率的单片机,如果是1M可以把for循环去掉
延时函数如下:
sbit DQ=P1^4;
//我这里是P1^4连接了DS18B20的数据线。
//你们根据自己的单片机原理图查询
void Delay_OneWire(unsigned int t)
{
unsigned char i;
while(t--){
for(i=0;i<12;i++);
}
}
7.1 DS18B20初始化
bit init_ds18b20(void)
{
bit initflag = 0;
DQ = 1;
Delay_OneWire(12);
DQ = 0; //拉低总线
Delay_OneWire(80);
DQ = 1;
Delay_OneWire(10); //等待DS18B20拉低
initflag = DQ; //获取总线数据
Delay_OneWire(5);
return initflag;
}
7.2 向DS18B20写入一字节数据
void Write_DS18B20(unsigned char dat)
{
unsigned char i;
for(i=0;i<8;i++)
{
DQ = 0; //拉低
DQ = dat&0x01; //获取dat最后一位数据
Delay_OneWire(5);//写入数据
DQ = 1; //释放总线
dat >>= 1; //dat右移一位
}
Delay_OneWire(5);
}
7.3 读取DS18B20数据寄存器的值
unsigned char Read_DS18B20(void)
{
unsigned char i;
unsigned char dat;
//循环8次,读一个字节
for(i=0;i<8;i++)
{
DQ = 0; //拉低
dat >>= 1;
DQ = 1; //释放总线
if(DQ) // 因为dat>>1位默认是0 ,如果DQ为0,就不需要赋0了
{
dat |= 0x80; //给dat赋1
}
Delay_OneWire(5);
}
return dat;
}
7.4 读取温度
unsigned int get_temp()
{
unsigned int result;
float i;
unsigned char low,high;
init_ds18b20();
Write_DS18B20(0xcc);//跳过rom
Write_DS18B20(0x44);//开始转换
init_ds18b20();
Write_DS18B20(0xcc);//跳过rom
Write_DS18B20(0xbe);//开始转换
low=Read_DS18B20(); //先读取低字节
high=Read_DS18B20();//再读取高字节
result =high&0x0f; //获取高字节低4位数据(1位符号位,3位数据位)
result<<=8; //左移8位
result=result|low; //或上低字节,拼成16位数据。
i=result*0.0625; //为什么乘0.0625,下面讲
result=i*100; //温度值扩大100倍,方便数码管显示
return result; //返回温度值
}
这里为什么最后的结果result需要乘以*0.0625。我们上面讲过DS18B20的数据寄存器,其实高字节的低3位才是数据位。 如高字节的最后一位本来是 2^4,假如有这个数据。则数据寄存器这个位为1,因为我们已经左移了8位,则变成了2^8.则实际上扩大了2^8/2^4=2^4=16,比实际结果扩大了16倍,所以我们需要乘以0.0625,缩小16倍。这样才能得到真实值。
所以整体原因是因为result左移8位,导致数据扩大了16倍,所以result需要乘以0.0625缩小16倍!
文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-482517.html
8.结语
这次也是通过DS18B20的芯片手册来讲解如何读取DS18B20的数据,以及最后转化为真实温度。 最后也是用代码实例来巩固理论,以及验证理论。
文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-482517.html
到了这里,关于51单片机读取DS18B20温度传感器的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容,请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章,希望大家以后多多支持TOY模板网!