ARM基础(4)：L1 Cache之I-Cache和D-cache详解-Toy模板网

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在上一篇文章ARM基础(3)：MPU内存保护单元详解及例子中，我介绍了MPU，我们知道MPU允许按区域修改一级Cache的属性，这个Cache一般为L1 Cache，它位于CPU的内部，用来加快指令和数据的访问速度。同时，CPU在处理共享数据时需要确保CPU和主存之间的数据一致性。这篇文章就来详细介绍一下L1 Cache的概念和用法。

1 L1 Cache和L2 Cache的概念

（1）L1 Cache
在ARM体系结构中，L1(Level 1)缓存是位于CPU内部的第一级高速缓存，用于存储指令和数据。L1缓存被进一步分为指令缓存(I-Cache)和数据缓存(D-cache)，它们分别专门用于存储指令和数据。I-Cache存储CPU执行的指令，而D-cache存储CPU读取和写入的数据。

I-Cache和D-cache的目的是通过提供更快的数据访问速度来减少对主内存的访问。当处理器核心需要执行指令时，它会首先在I-Cache中查找，如果指令已经缓存在I-Cache中，则可以立即执行。同样，当处理器核心需要读取或写入数据时，它会首先在D-cache中查找，如果数据已经缓存在D-cache中，则可以快速访问。
（2）L2 Cache
L2缓存位于CPU和主存之间，作为第二级高速缓存。它的容量比L1缓存更大，可以存储更多的数据，L2缓存是可共享的。它的存在是为了进一步提高缓存命中率和整体性能，以及减少对主存的访问延迟。

与L2缓存相比，L1缓存更接近处理器核心，因此具有更低的访问延迟和更高的带宽，但是实际上L2的访问速度也不低。

2 Cortex-M7中的L1 Cache

2.1 缓存行

Cortex-M7处理器上的L1缓存被分成了32字节的line，每个line都有一个地址标记。即每个缓存行的大小为32字节，缓存行是L1 Cache缓存的基本单位。其中，D-Cache是4路组相联的(每个缓存组可以存储四个缓存行，每个缓存行都有一个标记，用于指示该缓存行在主存中的位置)，每组有四个line，而I-Cache则是2路组相联的。较大的缓存会增加成本，较高的组相联度可以提高命中率，但也会增加成本和复杂度，所以D-Cache设置为4路和I-Cache设置为2路是一种硬件上的权衡。

2.2 缓存的命中和替换

如果缓存命中，则数据将从缓存中读取，或者被用于更新到主存中。如果缓存未命中，则会分配并标记一个新的缓存行，并将读或写的数据填充到缓存中。如果所有的缓存行都被分配了，缓存控制器就会运行缓存行替换过程，即选择一行进行清理，并重新分配。D-Cache和I-Cache实现了一种伪随机替换算法，用于选择被替换的缓存行。这种算法可以在缓存行的替换过程中提高随机性，从而有效地利用缓存空间，提高缓存命中率。

2.3 RT1170的L1 Cache

在Cortex-M7中，L1 Cache是与CPU的AXI(Advanced eXtensible Interface)总线相连的，从内存中取数据或者写数据到内存中都是依靠这个总线实现的。以I.MX RT1170为例，它是一个双核的CPU，对于CM7来说，有一个32KB的I-Cache和一个32KB的D-cache，它的连接关系如下图所示：
ARM基础(4)：L1 Cache之I-Cache和D-cache详解
可以看到在RT1176中有两个紧耦合内存ITCM和DTCM，它的访问无需经过L1 Cache，速度非常快，所以建议将临界区的代码和数据放在TCM中，如向量表。需要注意的是，TCM存储器始终是non-Cacheable和non-Shareable的，而不管MPU如何设置。

3 缓存的相关函数

缓存操作的相关函数都是基于CMSIS开发标准的，函数定义在core_cm7.h中，如下表所示：

CMSIS function	Description
void SCB_EnableICache (void)	Invalidate and then enable the instruction cache
void SCB_DisableICache (void)	Disable the instruction cache and invalidate its contents
void SCB_InvalidateICache (void)	Invalidate the instruction cache
void SCB_EnableDCache (void)	Invalidate and then enable the data cache
void SCB_DisableDCache (void)	Disable the data cache and then clean and invalidate its contents
void SCB_InvalidateDCache (void)	Invalidate the data cache
void SCB_CleanDCache (void)	Clean the data cache
void SCB_CleanInvalidateDCache (void)	Clean and invalidate the data cache

Cache clean：将带有dirty标识的缓存行写入内存中，可以理解为flush
Invalidate cache：将缓存中的所有有效数据标记为无效，这意味着下次访问这些数据时，系统将不会从缓存中读取，而是从主存或其他更低级别的缓存中获取最新的数据。失效缓存可以保证读取到最新的数据，特别是当其他设备或处理器修改了存储区域中的数据时。

用户只需要在MPU中设置不同内存区域的属性，然后通过上面列出的CMSIS功能启用缓存即可。例如，用户可以配置MPU是使用write-back还是write-through来对缓存进行操作。

write-back：在完成clean操作之前，cache中的数据不会写入到主存中
write-through：一旦缓存行上的内容被写入，就更新到主存中。这对于数据一致性来说更安全，但需要更多的总线访问。
- 实际上，write-through只有很小的影响，除非同一个缓存集被重复且非常快速地访问。所以用哪一种方式是一种权衡。
write-alloction：当缓存未命中时，需要为写入和读取操作都分配新的缓存行。

4 如何保证Cache的数据一致性

Cache可以给CPU性能带来一个很大的提升，但是用户应该注意缓存的维护和数据一致性。

4.1 例：播放Flash中的音频

假设我们想播放存储在外部Flash中的音频文件。数据流程图和连接关系如下：
ARM基础(4)：L1 Cache之I-Cache和D-cache详解
CPU通过L1 D-Cache读取SRC缓冲区中的音频文件内容，并解码PCM(Pulse Code Modulation)帧数据，写入OCRAM的USER缓冲区。用户缓冲区满后，eDMA开始将PCM帧数据复制到SAI IP模块内的FIFO。然后SAI使用移位操作将FIFO数据移到SAI总线进行音频回放。当CPU将帧数据写入启用L1缓存的OCRAM时，由于OCRAM的默认缓存策略为write-back，因此数据可能只写入cache。eDMA向SAI FIFO传输的数据不正确，导致数据一致性问题。有几种解决方法来解决这个问题：

CPU将数据写入OCRAM后，执行D-Cache清理操作
在写操作开始前，将OCRAM内存区域缓存策略从write-back设置为write-through
配置OCRAM内存区域缓存策略为non-cacheable
配置OCRAM内存区域为shareable，这会固定cache策略为non-cacheable。

4.2 使用cacheable buffer

对于定义在OCRAM，SRAM的buffer，一般都为Cacheable且Cache策略为write-back。如果要将定义在这里面的buffer作为DMA的源，用户必须在DMA开启之前执行一个D-Cache的清除操作，即SCB_CleanDCache()；如果该buffer用作DMA的目标，在DMA完成后且CPU或其它主机读取数据之前，需要执行SCB_InvalidateDCache。

buffer的地址应该基于L1缓存行的大小进行对齐，在Cortex-M7中为32字节

4.3 使用non-cacheable buffer

使用定义在non-cacheable内存区域的buffer直接解决了数据的一致性的问题，但是由于没有使用cache，这会导致访问这个buffer的速度会变慢很多。

最后以MCUXPresso IDE为例，看看如何定义一个non-cacheable buffer：
（1）在链接脚本中添加non-cacheable的内存段
对于MCUXPresso IDE来说，可以直接在GUI中修改：

①在Memory details中添加NCACHE_REGION
ARM基础(4)：L1 Cache之I-Cache和D-cache详解
②在链接脚本中添加input section

（2）MPU配置
对于DTCM来说，由于16组MPU的配置可以按优先级来覆盖。所以上面的代码我们先配置DTCM的cache策略默认为Write-back, no write allocate，代码如下：

    MPU->RBAR = ARM_MPU_RBAR(5, 0x20000000U);
    MPU->RASR = ARM_MPU_RASR(0, ARM_MPU_AP_FULL, 0, 0, 1, 1, 0, ARM_MPU_REGION_SIZE_256KB);

接着我们要配置一下non-cacheable区域的MPU，代码如下：

extern uint32_t __base_NCACHE_REGION;
extern uint32_t __top_NCACHE_REGION;
uint32_t nonCacheStart = (uint32_t)(&__base_NCACHE_REGION);
uint32_t size          = (uint32_t)(&__top_NCACHE_REGION) - nonCacheStart;
volatile uint32_t i = 0;

while ((size >> i) > 0x1U)
{
    i++;
}

if (i != 0)
{
    /* The MPU region size should be 2^N, 5<=N<=32, region base should be multiples of size. */
    assert(!(nonCacheStart % size));
    assert(size == (uint32_t)(1 << i));
    assert(i >= 5);

    /* Region 10 setting: Memory with Normal type, not shareable, non-cacheable */
    MPU->RBAR = ARM_MPU_RBAR(10, nonCacheStart);
    MPU->RASR = ARM_MPU_RASR(0, ARM_MPU_AP_FULL, 1, 0, 0, 0, 0, i - 1);
}

首先我们来看一下链接脚本文件evkmimxrt1170_freertos_hello_cm7_Debug_memory.ld中的相关定义：

  __base_NCACHE_REGION = 0x20300000  ; /* NCACHE_REGION */  
  __base_RAM5 = 0x20300000 ; /* RAM5 */  
  __top_NCACHE_REGION = 0x20300000 + 0x40000 ; /* 256K bytes */

C语言中可以直接用extern获取在链接脚本中定义的变量，所以__base_NCACHE_REGION 和__top_NCACHE_REGION实际上就对应我们刚刚在Memory details中添加的NCACHE_REGION。然后前面的代码就是找到一个最小的整数i，使得2^i大于等于变量size，然后以此就可以对参数进行合法性判断：整个区域的大小是不是2的倍数、是否大小大于一个缓存行等。同时ARM_MPU_RASR最后一个参数，内存区域的大小正好就可以用i-1来表示为2^i字节。

最后就是调用ARM_MPU_RASR配置MPU了，其中TEX为1、C和B为0，表示这段内存的类型为Normal，cache策略为non-cacheable。

（3）定义变量并链接到NCACHE_REGION
我们可以使用__attribute(section())关键字来指定变量链接到哪个段，MCUXPresso IDE中提供了这个宏：

#define AT_NONCACHEABLE_SECTION_ALIGN(var, alignbytes) \
    __attribute__((section("NonCacheable,\"aw\",%nobits @"))) var __attribute__((aligned(alignbytes)))

其中nobits表示该段为bss段，无需写入Flash。这里还加了字节对齐的属性，一般我们是4字节对齐，但有一些特殊的用例就有特殊的字节对齐的要求，比如eLCDIF的framebuffer需要8字节对齐。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-483797.html

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