MOSFET:结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

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 一、定义:

 MOSFET:结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

 MOSFET:结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

二、下面以IPL60R060CFD7参数说明:

 MOSFET:结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

 MOSFET:结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

 当测试Thermal时,已经从测试Thermal设备中读出case温度Tc,上图datasheet中给出的Tj到case的热阻为0.57°c/W,所以只需要算出该MOS消耗的功率P【驱动功率+开关损耗+导通损耗;应当远小于器件手册中给出的耗散功率Power dissipation】,就可以利用公式Tj= Tc+P*Tthjc 得到大致的结温Tj。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-504393.html

三、参考文献:https://blog.csdn.net/chenhuanqiangnihao/article/details/112554161

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