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MUR20100DC在TO-263封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款共阴极快恢复对管。MUR20100DC的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR20100DC采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MUR20100DC的电性参数是:正向电流(Io)为20A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.8V,其中有3条引线。
MUR20100DC参数描述
型号:MUR20100DC
封装:TO-263
特性:共阴极快恢复对管
电性参数:20A 1000V
芯片材质:抗冲击硅芯片
正向电流(Io):20A
芯片个数:2
正向电压(VF):1.8V
芯片尺寸:102MIL*2
浪涌电流Ifsm:200A
漏电流(Ir):10uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
MUR20100DC是TO-263封装系列。它的本体长度为9.2 mm,加引脚长度为14.5mm,宽度为9.88 mm,高度为4.5 mm,脚间距为2.54 mm。文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-516432.html
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