电路杂谈——MOS管各引脚间结电容对电路的影响-Toy模板网

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了电路杂谈——MOS管各引脚间结电容对电路的影响。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方，请大家不吝赐教，您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

一、MOS管工作原理

在现代电子电路设计中，MOS管无疑是最常用的电子元件之一。
功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。

1、MOS管寄生电容形成的原因

1.势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）。

2.扩散电容：当外加正向电压时，靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高，远离非平衡少子浓度低，且浓度自高到底逐渐衰减直到0。当外加正向电压增大时，非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大，外加电压减小时，变化相反。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同，称为扩散电容。

2、寄生电容结构

MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
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根据MOS管规格书中对三个电容的定义我们可以知道
$C_{iss}=C_{gs}+C_{gd}$ ；
$C_{oss}=C_{ds}+C_{gd}$ ；
$C_{rss}=C_{gd}$ ；
因此我们可以得到MOS管单独三个引脚之间的电容 $C_{gs}$ 栅源电容、 $C_{gd}$ 栅漏电容、 $C_{ds}$ 漏源电容。

二、MOS管电容参数

在MOS管的Datasheet中，关于引脚间电容的表述主要有以下三个参数。
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他们分别是 $C_{iss}$ 输入电容、 $C_{oss}$ 输出电容、 $C_{rss}$ 反向传输电容。这些电容产生于MOS管的结构和构造中、不能够完全消除。在使用MOS构建电路时，外部会使用到电阻、电容、二极管这些常用元件，而我们同时应该考虑到MOS管内部所存在的这些结电容，以免与外部电路冲突。以便在后续开发、设计、调试时能够顺利进行。接下来是对这三个参数的讲解。

1、 C i s s C_{iss} Ciss输入电容

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$C_{iss}$ （Input Capacitance）意为输入电容。将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。 $C_{iss}$ 是由栅漏电容 $C_{gd}$ 和栅源电容 $C_{gs}$ 并联而成，或者 $C_{iss}=C_{gs}+C_{gd}$ 。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。

2、 C o s s C_{oss} Coss输出电容

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$C_{oss}$ （Output Capacitance）意为输出电容。将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。 $C_{oss}$ 是由漏源电容 $C_{ds}$ 和栅漏电容 $C_{gd}$ 并联而成，或者 $C_{oss}=C_{ds}+C_{gd}$ 对于软开关的应用。

3、 C r s s C_{rss} Crss反向传输电容

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$C_{rss}$ （Reverse Transfer Capacitance）意为反向传输电容。在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容，即 $C_{rss}=C_{gd}$ 。

三、各引脚电容对电路的影响

1、 C i s s C_{iss} Ciss对电路的影响

$C_{iss}$ 和驱动电路对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
该参数直接影响到MOS管的开关时间， $C_{iss}$ 越大，同样驱动能力下，开通和关断的时间就越慢，开关损耗就越大，降低 $P_{D}$ 值。这就是为什么要在电源电路中增加加速电路的原因，但是较慢的开关速度有比较好的EMI特性。

2、 C o s s C_{oss} Coss对电路的影响

$C_{oss}$ 非常重要，主要在于它可能会引起电路的谐振。在其他方面引起的问题较少。

3、 C r s s C_{rss} Crss对电路的影响

$C_{rss}$ 反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他影响着关断延时时间。
该电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。同时 $C_{rss}$ 引起的正反馈也非常容易引起自激振荡。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-519834.html