亚阈值区NMOS Vth随温度变化曲线仿真【cadence】
一、测试电路搭建
这里我使用的工艺是SIMC的0.18微米工艺库,电路如下图:
其中NMOS的W/L设为6u/3u,可根据实际情况而定。文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-523635.html
二、ADE_L仿真环境设置
Vds的初始值设定为80mV,Vgs的初始值设定为200mV,目的是保证NMOS工作于亚阈值区。
选择使用dc分析,勾选Save DC Opearting point选项后,点击OK。
点击Tools,选择parametric Analysis,扫描温度变量temp,扫描方式随意,点击绿色运行按钮。
返回ADL_X界面,选择Results Browser
在左上角选择dcOpinfo,然后选择NM1,在左下角双击Vth,即可得到Vthy随温度变化的曲线了(如右图所示)。
文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-523635.html
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