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SRAM VS DRAM
DRAM工作原理
DRAM采用栅极电容上的电荷存储信息,由于DRAM上的电容电荷一般只能维持1-2ms,即使电源不断电,信息也会自动消失。因此每隔一定时间必须刷新。
- 集中刷新,利用固定的时间对所有的行进行刷新,刷新期间内停止对存储器的读写操作(死区,死时间)
- 分散刷新,延长了存取周期,将刷新工作放在读写操作之后,好处是没有死时间,但是存取周期变长了
- 异步刷新,综合前两点的优势,缩短了死时间,但还是无法避免死时间。
ROM的具体类型
- PROM:一次性编程的只读存储器,一旦写入,无法改变。
- EPROM:可以对内容进行多次修改,但次数有限,且写入时间过长。
- FLASH存储器:在EPROM和EEPROM的基础上发展而来,可在不加电的情况下长期保存信息,能够进行快速的擦除重写。
- 固态硬盘SSD:用FLASH存储器长期保存信息,速度比传统的硬盘快很多。
多模块存储器(DRAM相关)
1.单体多字存储器
特点:存储器中只有一个存储体,每个存储单元存储m个字,一次并行读出m个字,但如果数据存储不连续,则效果不明显。
2.多体并行存储器 重点!!
高位交叉编址:高位地址表示体号,低位地址为体内地址。如下图。
假设连续访问地址0001H和0002H地址的内容,由于地址的解析方式低位表示体内地址,这两个存储空间的内容属于同一个块,而DRAM需要刷新,因此不能连续访问同一个块的内容。
低位交叉编址:高位地址表示体内地址,低位地址为体号。如下图。
假设连续访问地址0001H和0002H地址的内容,由于地址的解析方式低位表示体号,这两个存储空间的内容不属于同一个块,因此不需要考虑DRAM刷新,可以并行访问,因此低位交叉存储是考试的重点。
重点题目讲解
32K = 2 ^ 15,因此地址线需要15根,数据线16根,选C。
分散刷新不存在死时间,因为扩大了存取周期。
四体并行,一个存取周期可读取四个存储体的内容,因此200ns内存储器可以提供32*4=128位的信息,C选项错在并不是每个模块。
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