Mode Register
模式寄存器是用于定义SDRAM的各种可编程模式。
- 初始化过程中通过MRS命令进行设置;
- 在power-up后的任意时间来重新执行MRS命令,需要满足所有bank都处于precharge状态且满足tRP(precharge到下一次command的时间),同时没有读写操作。
对于MRS命令需要满足两个延迟参数,tMRD(MRS命令之间的最小延迟)、 tMOD(MRS命令与NON-MRS命令的最小延迟,DLL reset/NOP/DES除外)
tMRD
tMOD
参考上面两个时序,如果RTT_NOM在原有配置或者新配置中有效,需要保证ODT维持0,直到tMOD满足
MR0
Burst Length & Type
- 对于写操作,需要进行对齐写入,DRAM本身在处理时,会自动进行对齐,因此对于BC4,忽略地址的低2位,对于BL8,忽略地址的低3位;
- 对于读操作,BL8可以认为类似是两次BC4,返回的地址数据顺序见上图。(上图中的A3,个人理解位MR0的配置,并非读写的地址)
Read Latency
MR1
后续再介绍Write Leveling,在此之前先看下DDR3的T型拓扑和Fly-by拓扑结构。
通过上面两张拓扑能看到:
对于T型拓扑,时钟、命令、地址到达每个DDR的走线基本等长;但是对于Fly-by拓扑,到达每一颗DDR芯片的距离并不相同,因此需要使用write leveling来调整DQS与CK的边沿延迟。
MR2
CAS Write Latency
文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-591563.html
ASR&SRT
- DDR器件不支持ASR时,该bit必须配置为0
- DDR器件不支持SRT时,该bit必须配置为0
- DDR器件支持ASR,且配置为1时,SRT必须配置为0
MR3
MPR : Multi Purpose Resgiter,用来从中读取预定义的时延校准。
正常模式下,MPR需要配置为0, 配置为1时,仅支持RD / RDA(Read with Auto-precharge)操作文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-591563.html
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