MOS管参数解读

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了MOS管参数解读。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方,请大家不吝赐教,您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

Absolute maximum ratings

标识 参数 中文描述 应用系统关联参数解读
VDSS Drain to Source Voltage 漏源电压标称值 参考BVDSS
ID  Continuous Drain Current  (@TC=25°C) 漏源标称电流 漏源间可承受的电流值,该值如果偏小,在设计降额不充裕的系统中或在过载和电流保护的测试过程中会引起电流击穿的风险。
Continuous Drain Current (@TC=100°C)
IDM Drain current pulsed 漏源最大单脉冲电流 反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度,该参数过小,电源系统在做过载和电流保护测试时,有电流击穿的风险。
VGS Gate to Source Voltage 栅漏电压 栅极可承受的最大电压范围,在任何条件下,必须保证其接入的电压必须在规格范围内。MOSFET的栅极也是MOSFET最薄弱的地方。
EAS  Single pulsed Avalanche  Energy 单脉冲雪崩能量 MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量,该能量如果过小在雷击浪涌、过载保护和耐压等测试项目时有失效的风险。
EAR  Repetitive Avalanche  Energy 重复雪崩能量
dv/dt Peak diode Recovery dv/dt 漏源寄生二极管恢复电压上升速率 (1)dv/dt反应的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。
(2)对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。
PD Total power dissipation  (@TC=25°C) 最大耗散功率 该值越大越好,由于该值的测试是模拟理想环境,所以测试出来值跟实际应用比起来差异特别大,参考意义比较有限。
Derating Factor above 25°C
TSTG, TJ Operating Junction  Temperature & Storage Temperature 结温及贮存温度 该参数表明MOSFET的温度承受能力,越大越好
TL Maximum Lead Temperature  for soldering 最大引线焊接温度 该参数是针对插件类产品来说,该参数值越大,焊接时温度承受能力越好。
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.

Thermal characteristics

标识 参数 中文描述 应用系统关联参数解读
Rthjc Thermal resistance, Junction to case 芯片到封装的热阻抗 该系列参数均表明在发热相同条件下器件散热能力的强弱,热阻越小散热能力越好。
Rthcs Thermal resistance, Case to Sink 封装到散热片的热阻抗
Rthja Thermal resistance, Junction to ambient 芯片到空气的热阻抗
标识 参数 中文描述 应用系统
关联参数解读
IS Continuous source current 最大连续续流电流 漏源间可承受的最大持续电流,该值如果偏小,在设计降额不充裕的系统中在测试过载和电流保护的过程中会引起电流击穿的风险。
ISM Pulsed source current 最大单脉冲续流电流 反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度,该参数过小,电源系统在做过载和电流保护测试时,有电流击穿的风险。
VSD Diode forward voltage drop. 二极管源漏电压 该参数如果过大,在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大,温升过高。
Trr Reverse recovery time  反向恢复时间 该参数如果过大,在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大,温升过高。同时也加重了电路直通的风险。
Qrr Reverse recovery Charge 反向恢复充电电量 该参数与充电时间成正比,一般越小越好。

Electrical characteristic

( TC = 25°C unless otherwise specified )文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-599398.html

标识 参数 中文描述 应用系统关联参数解读
 Off characteristics
BVDSS Drain to source breakdown voltage 漏源击穿电压 漏源极最大承受电压,该参数为正温度系数。如果BVDSS过小,应用到余量不足的系统板中会引起MOSFET过压失效。
ΔBVDSS/ ΔTJ Breakdown voltage temperature   coefficient 漏源击穿电压的温度系数 正温度系数,反应的是BVDSS温度稳定性,其值越小,表明稳定性越好。
IDSS Drain to source leakage current 漏源漏电流 正温度系数,IDSS越大,MOSFET关断时的静态损耗越大,会导致温升恶化。
IGSS Gate to source leakage current, forward 栅极驱动漏电流 栅极漏电流,越小越好,对系统效率有较小程度的影响。
Gate to source leakage current, reverse
 On characteristics
VGS(TH) Gate  threshold voltage 开启电压 (1)在相同ID和跨导条件下,VGS(TH)越高,MOSFET米勒平台也就越高。
(2)其直接反应MOSFET的开启电压,MOSFET实际工作时栅极驱动电压必须大于平台电压,如果栅极驱动电压长期工作在平台附近,会导致器件不能完全打开,内阻急剧上升,从而器件产生相应的热失效现象。
RDS(ON) Drain  to source on state resistance 导通电阻 同一规格的MOSEFET RDS(ON)越小越好,其直接决定MOSFET的导通损耗,RDS(ON)决越大,损耗越大,MOSFET温升也越高。在较大功率电源中,RDS(ON)损耗占MOSFET整个损耗中较大比例。
RDS(ON)的变化会引起客户系统板过流保护点的变化。
Gfs Forward Transconductance 正向跨导 其反应的是栅电压对漏源电流控制的能力,Gfs过小会导致MOSFET关断速度降低,关断能力减弱,Gfs过大,会导致关断过快,EMI特性差,同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。
Dynamic characteristics
Ciss Input capacitance  输入电容=Cgs+Cgd 该参数影响到MOSFET的开关时间,Ciss越大,同样驱动能力下,开通及关断时间就越慢,开关损耗也就越大,这也是在电源电路中要加加速电路的原因。但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性。
Coss Output capacitance 输入电容=Cds+Cgd 这两项参数对MOSFET开关时间有影响,其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能量的大小,会对雷击测试项目有一定影响。
Crss Reverse  transfer capacitance 反向传输电容=Cgd (米勒电容)
td(on) Turn on delay time 漏源导通延迟时间 这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小,效率高,温升低,对应的缺点是EMI特性差,MOSFET关断尖峰过高。
tr Rising time 漏源电流上升时间
td(off) Turn off delay time 漏源关断延迟时间
tf Fall time 漏源电流下降时间
Qg Total gate charge 栅极总充电电量
Qgs Gate-source charge 栅源充电电量
Qgd Gate-drain charge 栅漏充电电量

到了这里,关于MOS管参数解读的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容,请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章,希望大家以后多多支持TOY模板网!

本文来自互联网用户投稿,该文观点仅代表作者本人,不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处: 如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请点击违法举报进行投诉反馈,一经查实,立即删除!

领支付宝红包 赞助服务器费用

相关文章

  • Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss

          Cgd在BJT(双极性晶体管)中也称为米勒电容(Cbc)       栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率,但是下作频率比较高的时候,结电容的存在会消耗可观的驱动功率,频率越高,消耗的功率越大。       在实践中,为了分析问题的方便,一般并不直

    2023年04月08日
    浏览(42)
  • TF060N03M规格书|TF060N03M 参数说明|用于Type-C转HDMI拓展坞转换器N-MOS

    TF060N03M规格书|TF060N03M 参数说明|用于Type-C转HDMI拓展坞转换器N-MOS TF060N03M是一款专门用于USB TYPEC转换器的MOS。TF060N03M采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。 TF060N03M产品形态: TF060N03M特征 先进的器

    2023年04月08日
    浏览(38)
  • MOS管基础知识:轻松理解MOS管工作原理

    MOS管 是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件,很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点,应用广泛,特别是在大规模的集成电路中。 根据导

    2024年02月08日
    浏览(42)
  • 相同的MOS管进行并联或者串联,它们等价的MOS管与原MOS管在宽长比上有什么联系与区别?

    相同的MOS管进行并联或者串联,它们等价的MOS管与原MOS管在宽长比上有什么联系与区别? 首先考虑MOS管M1和M2串联的情况,如图1所示。因M1和M2是相同的MOS管,所以他们的阈值电压 V T V_{T} V T ​ 相同。 图1 MOS管M1和M2串联 若M1处于导通状态,则 V G − V X − V T 0 V_{G} - V_{X} - V_{

    2024年01月19日
    浏览(49)
  • MOS管工作区间及开通过程分析——以N沟道增强型MOS为例

    N沟道增强型MOS管的结构如图1所示,P型衬底上制作两个高掺杂的N区,引出作为漏极D和源极S,衬底上再制作一块绝缘层,绝缘层上在制作一层金属电极,引出作为栅极G,即构成了常见的N沟道增强型MOS管。一般而言,衬底B和S极会连在一起,当在栅极处加正电压时,靠近衬底的

    2024年02月09日
    浏览(36)
  • MOS管工作原理

    1.MOS管可以达到1秒钟上万次开关,原理是1秒钟给栅极高频次的高低电平控制内部沟道的增加或减少,从而控制电流通过或截止,如图: 2.内部没有沟道,会随着栅极的电压增加会逐渐形成沟道,此为增强型MOS管 3.若内部本身存在沟道,随栅极电压的升高而减小,此为耗尽型MOS管

    2024年02月03日
    浏览(34)
  • MOS管的损耗分析

    1、MOS管的损耗分类: 开关损耗: 栅驱动损耗: 导通损耗: MOS管损耗主要有开关损耗(开通损耗和关断损耗,关注参数Cgd(Crss))、栅极驱动损耗(关注参数Qg)和导通损耗(关注参数Rds(on))等。 1、关注参数Crss损耗

    2024年02月10日
    浏览(32)
  • MOS管缓启动电路

    利用的都是MOS管的米勒平台效应,分为NMOS和PMOS两种,一般的NMOS用在接地端,PMOS用在电源的正端,这是由与他们的开启电压不同造成的,以NMOS为例,开启电压要求VgsVth, 当NMOS的源极接地时,这个条件很好满足,只需要一个较低的电压就可以控制NMOS的开启和关闭,而如果将

    2024年02月11日
    浏览(33)
  • MOS管驱动电流估算

    MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析 MOS管驱动电流估算是本文的重点,如下参数: 有人可能会这样计算: 开通电流 Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr,带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA 关断电流 Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf,带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。 于是乎得出这样的结论,驱

    2024年02月02日
    浏览(33)
  • 硬件基础 - MOS管

    可应用于放大,由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器 很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换,常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 可以用作可变电阻 可以方便地用作恒流源 可以用作电子开关 在电路设计上的灵活性大,栅

    2024年02月09日
    浏览(33)

觉得文章有用就打赏一下文章作者

支付宝扫一扫打赏

博客赞助

微信扫一扫打赏

请作者喝杯咖啡吧~博客赞助

支付宝扫一扫领取红包,优惠每天领

二维码1

领取红包

二维码2

领红包