DDR的VTT供电，以DDR4的0.6V为例，由于DDR4的CK及CK采样的信号不支持ODT，所以需要外部端接来实现阻抗匹配，同时也是SSTL接口的必备电路（需要VTT来让IO实现快速翻转）。如下图所示，driver输出高时，电流从VDDQ到VTT，VTT的电源提供器件需要提供sink电流通路；driver输出低时，电流从VTT到VSS，VTT的电源提供器件需要提供source电流通路。如果多个IO翻转极性一样，VTT上无疑会有瞬间大电流，而如果驱高驱低的IO数一样，VTT的电源提供者可能出现电流正好抵消即主干路无电流情况，这是优化功耗的方向？
VTT的供电要求总结下有几点：
- 瞬态电流大
- VTT需要跟VDDQ及VREF都同源（VREF通常用VDDQ分压）
- 对纹波要求比较高，需要用LDO方案
- 需要同时有sink和source电流通路
我目前知道的，TI、SGM都有提供VTT供电的解决方案。比如TI的TPS512000,器件框图如下：
这个框图最让我陌生的就是基于Gｍ的LDO，有机会再去研究，估计TI官网会有相关资料。
该器件的标准外围电路如下：
文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-610399.html
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