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[深入理解NAND Flash (失效篇) ] NAND VT Distribution 和失效模式

9月前 作者：元存储 分类：Toy博客 阅读(40) 违法举报

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全文 2800 字， 内容摘要：

1 从NMOS Vt到FGNMOS Vt

2 Vt Distribution

3 Vt Distribution 恶化之源

    3.1 P/E cycle increase

    3.2 Data Retention

    3.3 Program/Read Disturb

    3.4 温度对 VT 的影响

4 由Vt 电压判断数据

    4.1 正常读取数据

    4.2 读数据出错处理

前言

Vt Distribution是NAND Flash非常重要的一个特性。

1 从NMOS Vt到FGNMOS Vt

阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS(Metal-Oxide-Semicondut文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-623907.html

到了这里，关于[深入理解NAND Flash (失效篇) ] NAND VT Distribution 和失效模式的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容，请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章，希望大家以后多多支持TOY模板网！

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