STM32CubeMX-Flash Hal库内部Flash掉电存储-Toy模板网

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了STM32CubeMX-Flash Hal库内部Flash掉电存储。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方，请大家不吝赐教，您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

前言

本文将介绍STM32F1的内部FLASH,通过内部FLASH实现数据读写操作。从而做到掉电存储。不同型号的STM32,其FLASH:容量也有所不同，最小的只有 16K字节，最大的则达到了1024K字节。此处我们使用的是 STM32F103ZET6,其FLASH容量为512K字节，属于大容量产品，大容量产品的闪存模块组织图如下图示
stm32保存数据到内部flash,stm32,单片机,嵌入式硬件

别的博主的文章大多都是用键盘来验证是否存储完成，但是我感觉我又不是每次都要用按键存储，且存储的东西都很单一，我这篇里面会提到如何存储各种数据。

一、HAL库提供的代码

//源文件: stm32f1xx_hal_flash.c和stm32f1xx_hal_flash_ex.c
HAL_FLASH_Unlock(void); //解锁函数
HAL_FLASH_Lock(void);   //锁定函数
HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);   //写操作函数
HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError);   //擦除函数
HAL_FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);   //等待操作完成函数

这些都是本文要用到的。

cubemx不需要进行额外的配置。

二、代码编程

1.flash.c文件

首先给出整体代码随后会对每一部分进行一定的分析

#include "flash.h"
#include <stdio.h>
#include <string.h>
/*FLASH写入程序*/
void WriteFlash(uint32_t addr,uint32_t *Data,uint32_t L)
{
	uint32_t i=0;
	/* 1/4解锁FLASH*/
	HAL_FLASH_Unlock();
	/* 2/4擦除FLASH*/
	/*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
	/*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
	/*擦除页数*/
	/*擦除地址*/
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
	FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
	FlashSet.PageAddress = addr;
	FlashSet.NbPages = 1;
	/*设置PageError，调用擦除函数*/
	uint32_t PageError = 0;
	HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
	/* 3/4对FLASH烧写*/
	for(i=0;i<L;i++)
	{
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);
	}
	/* 4/4锁住FLASH*/
	HAL_FLASH_Lock();
}

void Flash_Read(uint32_t address, uint32_t *data, uint16_t length)
{
    uint16_t i;
    for (i = 0; i < length; i++) {
        data[i] = *(__IO uint32_t *)(address + (i * 4)); // 以字为单位读取Flash
    }
}
//
DataToSave data_to_save ;//这个是要保存的数据
void my_flash_write(void)
{
	// 将数据转换为uint32_t数组以便写入Flash
	uint32_t flash_data[sizeof(DataToSave) / sizeof(uint32_t)];
	memcpy(flash_data, &data_to_save, sizeof(DataToSave));

	// 将数据写入Flash
	WriteFlash(FLASH_SAVE_ADDR, flash_data, sizeof(DataToSave) / sizeof(uint32_t));
}
int fff;//这是用来测试的
void my_flash_read(void)
{
	// 将读取到的数据转换回原始结构体
	DataToSave data_read;
	// 从Flash中读取数据
	uint32_t flash_data_read[sizeof(DataToSave) / sizeof(uint32_t)];
	Flash_Read(FLASH_SAVE_ADDR, flash_data_read, sizeof(DataToSave) / sizeof(uint32_t));
	memcpy(&data_read, flash_data_read, sizeof(DataToSave));
	// 现在，data_read.float_data 和 data_read.int_data 中分别包含从Flash中读取的float和int数据
	//读取完以后的数据可以从这里拿出！！！！
	fff=data_read.int_data[0];
}

`WriteFlash函数`

先解锁flash然后配置一下，再进行擦除（写入0即可），接着把需要数据写入，最后还需要上锁

`Flash_Read函数`

以字为单位读取Flash

`my_flash_read函数`

当你需要存储数据的时候直接调用这个函数就可以

`my_flash_read函数`

当你需要读取的时候直接调用就可以

2.flash.h文件

这里注意定义了一个结构体DataToSave，结构体里面就是你需要的存储的数据，你只需要定义好你需要存储的类型即可。

#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H
#include "main.h"
void WriteFlash(uint32_t addr,uint32_t *Data,uint32_t L);
void Flash_Read(uint32_t address, uint32_t *data, uint16_t length);
#define FLASH_SAVE_ADDR  (0x08060000) // 这地方不用改直接用这个地址。
typedef struct {
    float float_data[4];
    int int_data[4];
} DataToSave;								//这个是要保存数据的结构体
extern DataToSave data_to_save ;//这个是要保存的数据
void my_flash_write(void);
void my_flash_read(void);
#endif

三、主函数编写

由于我们在.h文件中声明了外部变量extern DataToSave data_to_save ;所以当使用的时候只需要包含头文件就可以了，不用在main.c中进行变量的声明了。
由此在循环之前写这些。

	data_to_save.float_data[0] = float_variable1;
	data_to_save.float_data[1] = float_variable2;
	data_to_save.float_data[2] = float_variable3;
	data_to_save.float_data[3] = float_variable4;

	data_to_save.int_data[0] = int_variable1;
	data_to_save.int_data[1] = int_variable2;
	data_to_save.int_data[2] = int_variable3;
	data_to_save.int_data[3] = int_variable4;	

//	my_flash_write();//写入的时候就可以把这个注释取消。
	my_flash_read();//读取的时候就可以把这个注释取消。