这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了MOS管的损耗分析。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方，请大家不吝赐教，您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。
1、MOS管的损耗分类：
开关损耗：
栅驱动损耗：
导通损耗：
MOS管损耗主要有开关损耗（开通损耗和关断损耗，关注参数Cgd(Crss)）、栅极驱动损耗（关注参数Qg）和导通损耗(关注参数Rds(on))等。文章来源：https://www.toymoban.com/news/detail-684774.html
1、关注参数Crss损耗
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一、MOS管工作原理 1、大种类以及结构形式 MOS管总体上分为N型MOS管（N沟道场效应管）和P型MOS管（P沟道场效应管）。它们都是有三个管脚，作用都是开关作用，控制原理都是应用电容的特性，区别之处在于N和P型的电流方向相反。 如图下是
在上一节，我们已经学习过了MOS管的基本线性放大原理，本节我们继续深入MOS管的小信号放大，建立MOS管的小信号模型。 我们本节继续使用上节的电路，如下图所示： 根据上节的知识，我们知道漏极DC电流为： I D = 1 2 k n V O V 2 I_D = frac{1}{2} k_n V_{OV}^2 I D = 2 1 k n V O
本文参考相关书籍，仅供学习LNA的过程记录。 在设计LNA之前，要选取合适的MOS管，要对MOS管进行分析 在确定工艺之后，主要仿真两个方面，一个是Vgs对于NFmin，Gmax，二是栅宽对NFmin，Gmax的影响（由于栅长一般选取该工艺下的最小栅长） 由于栅长L减少 所以L越小,fT越大，Fmi
1、场效应管的特点和分类 （1）利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）；输入阻抗高（10 7 ~10 12 Ω Ω ），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。 2、分类 （2）场效应管可以分为 结型JFET 和 MOSFET 绝缘栅型(
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor）是一种常见的半导体器件，它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。本文将从MOS管的基本结构、工作原理、参数特性等方面讲解MOS管的基础知识。 一、MOS管的基本结构 MOS管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和
作者：快捷芯（功率半导体创新品牌） 1、芯片材质不同 虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。 2、同等参数P 沟道 MOS管价格更高 （1）
经常看到有文章说MOS管的 导通电阻是正温度特性，阈值电压是负温度特性 ，但是一直不清楚具体的原理。本文就详细讲讲MOS管导通电阻正温度特性。 首先分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。 下面两
为了方便理解 MOSFET 的开关过程及其损耗，以 Buck 变换器为研究对象进行说明（注：仅限于对 MOSFET 及其驱动进行分析，不涉及二极管反向恢复等损耗。） 图1所示为 Buck变换器拓扑，其中用于减小主功率电路的AC Loop，实际使用视Layout情况决定是否需要添加。
功率二极管的损耗分析和选型原则 tip：参考网上资料，学习为主 作者：Xiou 1.1按照频率 最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电
为了方便理解 MOSFET 的开关过程及其损耗，以 Buck 变换器为研究对象进行说明（注：仅限于对 MOSFET 及其驱动进行分析，不涉及二极管反向恢复等损耗。） 图1所示为 Buck变换器拓扑，其中用于减小主功率电路的AC Loop，实际使用视Layout情况决定是否需要添加。
