场效应管(MOSFET)的等效电路

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了场效应管(MOSFET)的等效电路。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方,请大家不吝赐教,您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

以NMOS为例

     图1示为沟道场效应管的输出特性曲线

mosfet等效电路,单片机,嵌入式硬件

图1N沟道场效应管的输出特性曲线

       图2示一个N沟道场效应管的等效电路,其中电容Cgs,Cgd,Cds分别为MOSFET栅源电容、栅漏电容(米勒电容)及漏源电容,是MOSFET的寄生电容,可以从元器件数据手册中查得。

mosfet等效电路,单片机,嵌入式硬件

图2 N沟道场效应管等效电路

       场效应管在栅极电压控制下的导通过程分为四个阶段:

       第一阶段:t0~t1,栅极电压 上升到 开启电压,栅极绝大部分的电流都在给 Cgs充电,这个阶段功率MOSFET处于微导通状态;

       第二阶段:t1~t2,栅极电压将从开启电压 上升到米勒平台电压,场效应管器件从开始导通到工作在可变电阻区,漏极电流 与栅极电压 之间的特性叫做转移特性,栅极电流分别流入寄生电容Cgs和Cgd,MOSFET的输出漏极电流 由0随电压 的电压开始上升;

       第三阶段:t2~t3,栅极电压 上升至米勒平台电压,场效应管完全开通,漏极电流 达到饱和并维持恒定,此时,功率MOSFET工作于饱和区;

       第四阶段:t3~t4,栅极电流 继续对电容Cgs和Cgd充电,栅极电压 继续增大直至达到驱动电路提供的电压,此时功 率MOSFET完全开通。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-688477.html

到了这里,关于场效应管(MOSFET)的等效电路的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容,请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章,希望大家以后多多支持TOY模板网!

本文来自互联网用户投稿,该文观点仅代表作者本人,不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处: 如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请点击违法举报进行投诉反馈,一经查实,立即删除!

领支付宝红包 赞助服务器费用

相关文章

  • [电路]6-电阻的星形连接和角形连接等效变换(星角变换)

    1-发出功率和吸收功率关系 2-独立源和受控源 3-基尔霍夫定律 4-两端电路等效变换、电阻串并联 5-电压源、电流源的串联和并联 6-电阻的星形连接和角形连接等效变换(星角变换) 星形连接和角形连接都属于三端网络。 有三个引脚,分别为1、2、3,其中1和2引脚之间电阻为

    2024年02月04日
    浏览(37)
  • MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理学习笔记(二)栅极驱动参考

    栅极驱动参考 1.PWM直接驱动 2.双极Totem-Pole驱动器 3.MOSFET Totem-Pole驱动器 4.速度增强电路 5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制其直接控制栅极,如 图 8 所示。 直接栅极驱动最艰巨的任务是优化电路布局 。 如 图 8 中所示,

    2024年01月18日
    浏览(52)
  • MOSFET开关过程分析与损耗计算

            为了方便理解 MOSFET 的开关过程及其损耗,以 Buck 变换器为研究对象进行说明(注:仅限于对 MOSFET 及其驱动进行分析,不涉及二极管反向恢复等损耗。)         图1所示为 Buck变换器拓扑,其中用于减小主功率电路的AC Loop,实际使用视Layout情况决定是否需要添加。

    2024年02月09日
    浏览(37)
  • 【分立元件】MOSFET如何用于同步整流

    在电力电子中我们会使用二极管做开关,当二极管导时,相当于开关闭合,当二极管截止时,相当于开关断开。但是二极管在导通时的管压降在低压电源电路中是一个损耗来源,所以一般我们首选使用的是肖特基二极管,因为肖特基二极管的管压降比较低。 如下所示为非同步

    2024年02月06日
    浏览(54)
  • 开关功率器件(MOSFET IGBT)损耗仿真方法

    说明:IGBT 功率器件损耗与好多因素相关,比如工作电流,电压,驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后(驱动电阻大小,驱动电压等),开关器件的损耗基本上是器件上的电压和电流的函数。用理想的开关器件进行仿真,

    2024年02月13日
    浏览(47)
  • 简记_详解MOSFET的开通及关断过程

    目录 一、MOS管的特性曲线  二、MOS管的开通过程  三、MOS管的关断过程  四、几点结论  一、MOS管的特性曲线   从转移特性曲线可以看出: 当Vgs上升到Vth时,MOS管开始导通电流。 从输出特性曲线可以看出: Vgs的大小决定了恒流区即MOS管导通电流的通道宽的大小,也决定了

    2024年02月05日
    浏览(33)
  • Buck变换器MOSFET开关过程分析与损耗计算

            为了方便理解 MOSFET 的开关过程及其损耗,以 Buck 变换器为研究对象进行说明(注:仅限于对 MOSFET 及其驱动进行分析,不涉及二极管反向恢复等损耗。)         图1所示为 Buck变换器拓扑,其中用于减小主功率电路的AC Loop,实际使用视Layout情况决定是否需要添加。

    2024年02月12日
    浏览(43)
  • 从电容充放电公式推导到MOSFET驱动电阻功耗计算

     在之前的文章中写到过电容充放电表达式,式中R表示串联电阻,C表示电容容值,V1表示电源电压,V0表示电容两端初始电压,Vt代表在t时刻电容两端电压。本篇将研究该公式的推导过程及延伸计算。  一.充电公式推导    推导过程中主要用到3个公式:  对以上三个公式求导

    2024年02月07日
    浏览(47)
  • MOSFET开关管的结构以及在MATLAB中的连接

    MOSFET:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金属半场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET);它是由金属(M)层的栅极隔着氧化层(O)利用电场来控制半导体(S)的场效应晶体管,可以广泛使用在模拟电路与数字电路中。 MOSFET按照场效应分为:增强型和耗尽

    2024年02月06日
    浏览(34)
  • 学习笔记:CMOS、MOS、NMOS、PMOS、MOSFET等的区别

    复习时 发现连基础概念都不知道,连忙来找补 把P型半导体放入电场中,根据同电荷排斥、异电荷吸引,电荷情况如下: 这种效应称为电场效应(Field Effect),依据这种现场所发明的半导体器件称为场效应管(Field Effect Transistor ,简称FET)。 为了方便产生一个电场,科学家

    2024年02月10日
    浏览(53)

觉得文章有用就打赏一下文章作者

支付宝扫一扫打赏

博客赞助

微信扫一扫打赏

请作者喝杯咖啡吧~博客赞助

支付宝扫一扫领取红包,优惠每天领

二维码1

领取红包

二维码2

领红包