以NMOS为例
图1示为沟道场效应管的输出特性曲线
图1N沟道场效应管的输出特性曲线
图2示一个N沟道场效应管的等效电路,其中电容Cgs,Cgd,Cds分别为MOSFET栅源电容、栅漏电容(米勒电容)及漏源电容,是MOSFET的寄生电容,可以从元器件数据手册中查得。
图2 N沟道场效应管等效电路
场效应管在栅极电压控制下的导通过程分为四个阶段:
第一阶段:t0~t1,栅极电压 上升到 开启电压,栅极绝大部分的电流都在给 Cgs充电,这个阶段功率MOSFET处于微导通状态;
第二阶段:t1~t2,栅极电压将从开启电压 上升到米勒平台电压,场效应管器件从开始导通到工作在可变电阻区,漏极电流 与栅极电压 之间的特性叫做转移特性,栅极电流分别流入寄生电容Cgs和Cgd,MOSFET的输出漏极电流 由0随电压 的电压开始上升;
第三阶段:t2~t3,栅极电压 上升至米勒平台电压,场效应管完全开通,漏极电流 达到饱和并维持恒定,此时,功率MOSFET工作于饱和区;文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-688477.html
第四阶段:t3~t4,栅极电流 继续对电容Cgs和Cgd充电,栅极电压 继续增大直至达到驱动电路提供的电压,此时功 率MOSFET完全开通。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-688477.html
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