为什么QLC NAND才是ZNS SSD最大的赢家？-part3-Toy模板网

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在ZNS SSD设计中，也有很多的挑战：

Open Zones 对写入缓冲区的需求：保持大量的 open zones（例如 1K+）会增加对带宽的需求，并要求控制器提供足够的缓冲空间来管理并发写入请求。这需要较大的高带宽写入缓冲区以降低延迟并优化性能。
Charge-trapping QLC NAND 的编程需求：由于 charge-trapping QLC NAND 需要两次编程操作和两次数据传输，以及要解决CTF相邻位之间的耦合效应可能导致编程电压分布不均匀引入的N WL gaps，因此在处理写入请求时可能需要更大的缓冲空间。这会进一步增加对写入缓冲区的需求。

这也是为什么FG架构QLC NAND SSD性能比CTF架构QLC NAND SSD性能要好（具体介绍请参考：浅析不同NAND架构的差异与影响）

尽管存在这些问题，但 charge-trapping QLC NAND 的高密度和低成本优势使其成为大容量存储应用的理想选择。
写入冲突管理：为了处理 write-write collision 和 write-erase collision，SSD 控制器需要额外的缓冲空间来存储等待写入的数据。这导致了对写入缓冲区容量的需求增大。
SSD 控制器内部 SRAM 的限制：通常情况下，SSD 控制器内部的 SRAM 容量有限（通常为 8-16MB），可能不足以满足所有 open zones 的数据操作和编程缓冲需求。
使用 DRAM 的限制：虽然可以考虑使用 DRAM 作为编程缓冲区，但 DRAM 带宽有限，并且受到超级电容的影响。此外，DRAM 的成本也相对较高。
RAID 纠错码 (parity) 缓冲区大小和容量开销：在使用 RAID 纠错机制的环境中，需要预留额外的空间用于存放 parity 数据。这增加了对 SSD 控制器资源的需求，并可能导致容量上的开销。

为了解决以上问题，业内有这么一种做法，使用 2-stage 缓存（SRAM+DRAM）处理数据操作和编程的方案：

1.SRAM 和 DRAM 的作用：

SRAM：用于 RAID 编码、FW 元数据插入以及 RAID 纠错码 (parity) 缓冲区。
DRAM：用作 SLC 或直接编程 QLC 的数据缓冲区。

2.支持 1K+ Open/Active Zone：

SLC Copyback：这种方法将待编程的数据先写入到 SLC 区域，然后再从 SLC 区域复制回 QLC 区域。由于 SLC 的编程速度较快，可以减少整体的编程时间。然而，这种策略需要额外的硬件资源来监控 SLC 块的 RBER，并确保数据的可靠性。
SLC Backup：这种方法将待编程的数据直接存储在 DRAM 中，然后一次性写入到 QLC 区域。虽然这种方法可能会消耗更多的 DRAM 带宽，但它避免了在不同区域之间进行数据移动，简化了数据管理过程。

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在不同的Zone的大小，对Open Zone数量和RAID配置有不同的需求。ZNS 和 Die-block 结合使用可以带来一些优势，包括更好的数据组织、更高的 I/O 性能以及更有效的资源管理。ZNS 可以将存储设备划分为一系列连续的逻辑分区（zones），每个 zone 具有预设的最大容量。这种设计有利于顺序写入，从而降低写入放大效应和延迟。但也存在一些潜在挑战，如如何有效地分配和管理 zones，如何平衡不同 dies 或 LUNs 之间的负载等。

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