[NAND Flash 3.2] 3D NAND 工艺与发展前沿

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专栏《深入理解NAND Flash》

全文 6200 字，2023.12.12 更新

1. 导论

1.1 何为 3D NAND?

3D NAND, 也叫做 Sumsung V-NAND, 是一种高密度闪存。
以前，把NAND闪存颗粒，直接平铺在SSD固态硬盘电路板上，叫2D技术。后来，厂家为节约成本，节省空间，像建高楼一样，一层又一层地平铺上去，就成为了3D堆叠闪存技术。

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来，解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。
3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术工艺差别较大。

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1.2 2D to 3D

2D NA文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-758659.html

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