一、MOS管
NMOS管的结构示意图和表示符号如图所示,在P型衬底上制作两个掺杂N型区,形成MOS管的源极S 和漏极D ,中间电极称为栅极G,栅极和衬底之间通过SiO2 绝缘层隔开。
下图为NMOS输出特性曲线,采用共源极接法,漏极特性曲线可分为三个工作区,截止区,可变电阻区,饱和区
当Vgs<Vgs(th) 时,处于截止区,此时源极和漏极之间近似没有导电沟道;
当Vgs>Vgs(th) 时,曲线以上可分为两部分,虚线以左为可变电阻区,当Vgs一定时,id与Vds之比近似为一个常数;虚线以右为饱和区,此时漏极电流id的大小基本只与Vgs的大小有关;
MOS管搭建反相器
下图为反相器的结构示意图,由一个PMOS和一个NMOS拼接而成
当v=1时,T1截止,T2导通,vo=0;
当v=0时,T1导通,T2截止,vo=1;
MOS管搭建传输门
利用PMOS和NMOS的互补性可以拼接而成CMOS传输门
当C=1时,传输门开启,输出端=输入端
MOS管搭建与非门
如图为CMOS搭建的与非门结构,由两个并联的PMOS和两个串联的NMOS构成
当A=B=1时,T2和T4导通,Y=0;
当A=B=0时,T3和T1导通,Y=1;
当A=1,B=0时,T3导通,T2导通,但T4截止,Y=1;
当A=0,B=1时,T1导通,T4导通,但T2截止,Y=1;
对应关系为:
二、与非门R-S锁存器
R-S锁存器是静态存储单元中最基本的一种电路结构,通常由两个或非门或者与非门组成,下图为与非门搭建R-S锁存器的电路结构图
基本RS锁存器由电平触发,并且有一个重要的约束条件:/SD和/RD不能同时为零。
即存在约束条件 RD ·SD=0
其中Q为初态,Q*为次态
三、电平触发器
触发器通常分为电平触发,边沿触发,脉冲触发
电平触发RS锁存器
由两个与非门和SR锁存器组成电平触发器
只有当CLK=1为高电平时,G3、G4输出端才收R和S输入端控制
带异步复位,异步置位的电平触发RS锁存器
只需在/SD和/RD加入低电平,即可将触发器置1和置0;在正常由时钟信号控制情况下/SD和/RD应为高电平
电平触发D触发器
电平触发D触发器,也称D型锁存器
若D为1,在CLK=1期间,输出端Q为1,在CLK=0低电平期间,输入端D无效,输入端与非门置1,输出端Q保持不变;若D为0,在CLK=1期间,输出端Q为0,在CLK=0低电平期间,输出端Q保持0不变,完成了锁存功能
代码如下(示例):
四、边沿触发器
为提高触发器可靠性,增强抗干扰能力,希望触发器的次态仅仅取决于CLK信号上升沿或下降沿时刻输入信号的状态,而之前和之后的状态不对输出造成影响
下图为由两个电平D触发器搭建的边沿触发器
当CLK为低电平时,CLK1为高电平,FF1的输出Q跟随D变化而变化,保持Q1=D,此时CLK2为低电平,FF2的输出Q2保持原来的状态不变文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-789750.html
当CLK由低电平变高电平时,CLK1变为低电平,Q1保持为CLK上升沿到达前瞬间输入端D的状态(这也时setup存在的原因),此后不随D的状态而改变。而此时CLK2变为高电平,Q2跟随当前时钟沿传输的的数据Q1变化,此时Q被置位成时钟上升沿瞬间D端的状态,而于之后D的状态无关。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-789750.html
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