逻辑门符号
Inverter
CMOS NAND Gate
CMOS NOR Gate
MOS Capacitor
nmos cutoff
Linear
Saturation
Channel Charge
Carrier velocity
nMOS Linear I-V
nMOS Saturation I-V
Summary
nMOS Operation
pMOS Operation
Inverter Step Response
Delay Definitions
3-input NAND Caps
Elmore Delay
Estimate rising and falling propagation delays of a 2-input NAND driving h identical gates
多米诺电路
逻辑努力
推气泡法
请简要说明动态逻辑电路输出单调性特点,对输入信号的单调特征有什么样
的要求,如果两个电路需要级联时应该如何设计两个电路的连接。(12 分)
答案:
由于动态电路具有单调降的输出电压,即在预充电之后上拉网络输出电压依靠输
出电容保持高电平输出,没有上拉充电回路(4 分);输出电压降低后不能再升
高,输入信号的电压需要单调升高的,保证动态逻辑门电路下拉网络放电仅有一
次,因此两个动态逻辑电路不能直接级联(4 分)。在一个动态逻辑电路后连接
一个静态逻辑门反相(如反相器),改变输入单调性,然后再与动态逻辑电路级
联构成多米诺电路的形式(4 分)。
该电路具有或非逻辑功能(4 分),
噪声容限
反相器的速度
反相器功耗
方向器设计:综合
例题
集成电路低功耗设计
集成电路为何需要低功耗?
功耗来源
符合逻辑门动态功耗
减少漏电流-多阈值逻辑电路
CMOS和PMOS晶体管串联和并联
与非门NAND
或非门
VLSI 设计方法
世界集成电路发展历程
版图设计理念
VLSI设计主要流程
MOS晶体管结构
PN结单向导电——集成电路的基础
载流子是源到漏,电流是漏到源
mos 晶体管工作原理
V D S ——源漏电压 V_{DS} —— 源漏电压 VDS——源漏电压
V G S ——栅源电压 V_{GS}——栅源电压 VGS——栅源电压
饱和区工作条件
MOS管的转移特性
- 是指 I D S I_{DS} IDS 随着 V G s V_{Gs} VGs 的变化关系
MOS晶体管的电学本质
PMOS 晶体管
两类MOS晶体管
MOS管符号
CMOS结构及其优势
CMOS反相器设计
PMOS 高电平是源,低电平是漏;
所以两个漏极相连
静态分析
CMOS逻辑门构造
与非门设计方法
nmos 为1,pmos为2。
异或门和同或门
传输门
源和漏之间可以传
源和漏是不分的,只有人分析的时候才分
三态门
时序逻辑
如何锁存信号-正反馈
D 触发器
触发器的时序参数
时序逻辑的性能优化
时序逻辑的功耗优化
静态功耗和动态功耗-电容充放电。
降低时钟的负载
跟主从式结构区别——反馈环路
偏差和抖动对电路的影响
抖动一定使性能下降
正的偏差可以使性能上升,反之下降 。
工艺与设计接口
逻辑努力
文章来源:https://www.toymoban.com/news/detail-799889.html
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