RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方,请大家不吝赐教,您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

Features

•代码flash容量:高达10兆字节的用户区域

编程方法:

  • 通过串行接口与专用闪存编程器通信编程(串行编程)。
  • 用户程序编程Flash(自编程)。

支持安全功能,以防止非法篡改或读取闪存中的数据。

支持保护功能,防止flash错误覆盖。

在Code Flash上支持OTP(一次性编程)

支持检测和纠正闪存中的错误。

支持BGO(后台操作)功能

  • Code flash可以读取,而data flash正在编程。
  • 当一个bank的flash被擦除/编程/读取时,另一个bank的flash可以被擦除/编程/读取。
    Option Bytes寄存器值(设备的某些设置)可以在flash的扩展区域中配置
    Code Flash上的最小可写单元是256bytes,Data Flash上的最小可写单元是4bytes
    最小的可擦除单位是块。在Code Flash上8 kb或32 kb,在数据Flash上64bytes

Clock Supply

下表列出了Flash控制逻辑(FACI)的时钟供应。

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

Block Diagram

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

Flash Size

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

Memory Configuration

RH850/P1x-C代码闪存中的用户区分为8kbytes或32kbytes块,可单独擦除

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
RH850/P1x-C数据闪存中的数据区被划分为64字节的块,可以单独擦除。

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

Registers

Register Base Address

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

List of Registers

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

Register Reset Condition

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

与Flash Memory相关的操作模式

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
可编程和可擦除的flash区域以及复位后的启动程序取决于所选模式。模式之间的差异如表32.6所示

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

Functional Overview

RH850/P1x-C的片上闪存可以在安装到目标系统之前和之后进行编程,其编程功能采用专用的闪存编程器(串行编程)。

此外,还支持禁止在片上闪存中编写用户程序的安全功能,以防止程序被外部人员伪造

使用用户程序的编程功能(自编程)是适用于预期在目标系统的生产或装运之后修改程序的应用的方法。还支持对闪存区域进行安全编程的保护功能。

此外,通过在自编程期间利用对中断处理的支持,可以在各种条件下进行编程,例如与外部通信并行。

表32.7概述了编程方法和相应的操作模式。

Option Bytes

flash memory具有扩展区域(可选字节)来存储用户为各种目的指定的数据。设置的更改,例如使用选项字节的外设功能的初始设置,在从复位状态释放后生效。

OPBT0 — Option Byte 0

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
OPWDRUN0:该位启用或禁用WDTA0的自动启动。

0:禁用WDTA0自动启动。

1:启用WDTA0自动启动

OPWDOFV2 to OPWDOFV0:这些位选择WDTA0、WDTA1的溢出时间

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
OPWD0MD:该位选择WDTA0、WDTA1的模式

0:慢速模式(WDTACLKI = 1/32 of CLK_IOSC)

1:快速模式(WDTACLKI = CLK_IOSC的1/1)

OPWDVAC:选择WDTA0、WDTA1变量启动代码)

该位指定触发寄存器,用于生成计数器重启触发器以避免计数器溢出。

0: WDTAnWDTE(固定)

1: WDTAnEVAC(变量)

注意:有关WDTA启动选项的详细信息,请参见第23节,窗口看门狗定时器A (WDTA)。

OPWDRUN1:该位启用或禁用WDTA1的自动启动(P1M-C除外)。

[p1h-c (4mb), p1h-c (8mb), p1h-ce]

0:关闭WDTA1自动启动。

1:启用WDTA1自动启动。

(P1M-C)

1:写值必须为1。

ETHDISABLE:以太网控制

0:表示以太网模块未启用。

1:以太网模块使能。

OPAUDR:选择AUD RAM监视器启用/禁用(仅限P1H-CE)

(P1H-CE)

0:禁用AUDR

1:启用AUDR

[P1M-C, P1H-C]

1:写值必须为1。

OPBT1 — Option Byte 1

OPBT1与时钟频率相关,如下图所示
RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
PLL0FREQ:CLKD0DIV和CLKD1DIV的分频器配置以及SWDT时钟分频器。

位必须根据锁相环频率设置(由PLL0MDIVPLL0NDIV和PLL0PDIV设置)和所需的最大值。CPU频率(CLK_CPU)。

[P1M-C, P1H-CE]

00: PLL0 = 480MHz, CLK_CPU = 120MHz

01: PLL0 = 320MHz, CLK_CPU = 160MHz

10: PLL0 = 480MHz, CLK_CPU = 240MHz

11:禁止设置

(P1H-C)

00:禁止设置

01: PLL0 = 320MHz, CLK_CPU = 160MHz

10: PLL0 = 480MHz, CLK_CPU = 240MHz

11:禁止设置

一般设置为10b,即PLL0设置为480MHz,CLK_CPU设置为240MHz

EXCLKIN:选择外部时钟代替MOSC

0:选择外部时钟输入

1:选择晶振

一般设置为1

PLL0MDIV:PLL0 m分压器设置

001: 1/2 (mr = 2)

010: 1/3 (mr = 3)

other:禁止设置

一般设置为001

PLL0NDIV:PLL0 n分频器设置

0001_1111: 1/32 (nr = 32)

0010_0111: 1/40 (nr = 40)

0010_1111: 1/48 (nr = 48)

0011_1011: 1/60 (nr = 60)

other:禁止设置

一般设置为0011_1011

PLL0PDIV:PLL0 P分频器设置

000: 1/1 (pr = 1)

001: 1/2 (pr = 2)

other:禁止设置
一般设置为0

OPBT2 — Option Byte 2

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
OPJTAG1,OPJTAG0:选择调试接口

OPBT13 — Option Byte 13

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
CVMHDETEN:CVM过压检测控制,1使能

CVMLDETEN:CVM欠压检测控制,1使能

OPBT14 — Option Byte 14

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
EMF:仿真模式选择,只有P1H-CE可以用,P1M-C,P1H-C都需要写1

PE2PB:PE2校验位是否启用,1启用

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory

RD_SEL:阻尼电阻配置

PE2DIS:是否使能PE2,0使能

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
STARTUPPE:选择Start up PE使能控制

OPBT15 — Option Byte 15

RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory,RH850 1372,Autosar笔记,RH850,PIHC,flash memory
CAP_SEL:主OSC电容配置

AMP_SEL:主OSC AMP配置文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-802657.html

到了这里,关于RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容,请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章,希望大家以后多多支持TOY模板网!

本文来自互联网用户投稿,该文观点仅代表作者本人,不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处: 如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请点击违法举报进行投诉反馈,一经查实,立即删除!

领支付宝红包 赞助服务器费用

相关文章

  • 【AUTOSAR】RH850(F1KM) MCU PWM配置(MCAL)

    前言 在嵌入式项目中,我们经常需要使用到PWM信号。本文将基于汽车电子AUTOSAR架构下的软件开发方式。以RH850为例进行说明,介绍如何查阅芯片参考文档,并结合项目原理图,使用Davinci工具配置MCAL PWM模块,输出PWM波形。 仅供大家学习参考。 其他MCU的配置方法类似,需要找

    2024年02月13日
    浏览(42)
  • 【STM32】STM32学习笔记-FLASH闪存(48)

    STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分,通过闪存存储器接口(外设)可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程 读写FLASH的用途: 利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据 通过在程序中编程(IAP),实现程序的自我更新 在线编

    2024年03月16日
    浏览(50)
  • STM32CubeMX学习笔记16--- STM32内部FLASH

    1. 内部FLASH简介         之前的文章中介绍过STM32F1利用SPI与外部FLASH(W25QXX芯片)通讯的例程,本例程将介绍STM32F1的内部FLASH,通过内部FLASH实现数据读写操作。 不同型号的STM32,其FLASH容量也有所不同,最小的只有16K字节,最大的则达到了1024K字节。此处我们使用的是ST

    2024年04月09日
    浏览(41)
  • 【FLASH存储器系列五】SPI NOR FLASH芯片使用指导之一

    👉个人主页: highman110 👉作者简介:一名硬件工程师,持续学习,不断记录,保持思考,输出干货内容   目录 1芯片简介 2引脚定义 3功能框图 4器件操作 4.1操作框图 4.2标准SPI 4.3DaulSPI 4.4QaudSPI 4.5QPI 4.6DTR(W25Q128不支持) 4.73-字节/4-字节地址模式(W25Q128只支持3字节) 4.8保持

    2023年04月19日
    浏览(44)
  • Zynq-Linux移植学习笔记之62- PL挂载复旦微flash

    现在为了全国产化需要,之前所有的进口flash全部要换成国产flash 其中EFM25QU256和EFM25QL256对标winbond的w25q256 nor flash     复旦微flash只支持单线模式,当使用PL侧的IP核访问时,需要设置模式为standard   内核中修改m25p80.c,设置兼容的flash型号     同时复旦微flash推荐使用jffs2文件

    2024年02月15日
    浏览(42)
  • STM32使用QSPI控制FLASH(FLASH芯片型号:MX25L25645G)

             本篇详细的记录了如何使用STM32CubeMX配置STM32H723ZGT6的QSPI外设与 SPI Flash 通信(MX25L25645G)。 1、MX25L25645G引脚示意如图: 手册上的各个引脚的定义如图:         由以上可知,该芯片可以使用SPI/QSPI控制,SPI模式使用SO、SI,SCLK,以及CS角,此状态下WP角被作为

    2024年04月22日
    浏览(56)
  • 芯片制造详解.刻蚀原理.学习笔记(五)

    本篇笔记是看完原视频后的整理和补充,建议各位观看原视频,这里附上地址。 如何雕刻芯片:刻蚀原理|芯片制造详解05 刻蚀技术分为两类: 一类是使用液态化学品的**湿法刻蚀(Wet etch)**让硅片在强酸强碱的泡澡淋浴中定量减肥; 另一类是使用气体等离子体的 干法刻蚀

    2024年02月14日
    浏览(42)
  • STM32CubeMX学习笔记(48)——USB接口使用(MSC基于外部Flash模拟U盘)

    USB(Universal Serial BUS)通用串行总线 ,是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备的连接和通讯。是应用在 PC 领域的接口技术。USB 接口支持设备的即插即用和热插拔功能。USB 是在 1994 年底由英特尔、康柏、IBM、Microsoft 等多家公司联合提出的。 USB 发展到现在已经有 US

    2024年01月16日
    浏览(48)
  • STM32CubeMX学习笔记(47)——USB接口使用(MSC基于内部Flash模拟U盘)

    USB(Universal Serial BUS)通用串行总线 ,是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备的连接和通讯。是应用在 PC 领域的接口技术。USB 接口支持设备的即插即用和热插拔功能。USB 是在 1994 年底由英特尔、康柏、IBM、Microsoft 等多家公司联合提出的。 USB 发展到现在已经有 US

    2024年02月15日
    浏览(44)

觉得文章有用就打赏一下文章作者

支付宝扫一扫打赏

博客赞助

微信扫一扫打赏

请作者喝杯咖啡吧~博客赞助

支付宝扫一扫领取红包,优惠每天领

二维码1

领取红包

二维码2

领红包